Descripción
Información:
El transistor bipolar está compuesto por silicio de semiconductor de tres regiones que forman dos uniones P-N-P que son llamados emisor, colector y base.
Especificación:
- Tipo de Transistor P-N-P
- Disipación de Potencia de 625mW
- Límite de colector base de 50v
- Límite de colector emisor-base de tensión de 45v
- Límite de tensión emisor-base de 5v
- Máxima corriente continua de colector del transistor de 100mA
- Límite de temperatura unión PN de 150°
- Frecuencia de corte de corriente de 150MHz
- Capacidad de la unión de colector de 20
Aplicaciones:
Los transistores son muy usados en electrónica como Amplificadores de Audio, Equipos de Medicina y Equipos Informáticos.
