BC337, Transistor de pequeña señal NPN 4

Información:

El transistor bipolar está compuesto por silicio de semiconductor de tres regiones que forman dos uniones P-N-P que son llamados emisor, colector y base.

Especificación:

• Tipo de Transistor P-N-P
• Disipación de Potencia de 625mW
• Límite de colector base de 50v
• Límite de colector emisor-base de tensión de 45v
• Límite de tensión emisor-base de 5v
• Máxima corriente continua de colector del transistor de 100mA
• Límite de temperatura unión PN de 150°
• Frecuencia de corte de corriente de 150MHz
• Capacidad de la unión de colector de 20

Aplicaciones:

Los transistores son muy usados en electrónica como Amplificadores de Audio, Equipos de Medicina y Equipos Informáticos.