IRF640 Transistor TMOS Canal «N» 200V, 0.18Ohms 125W
Este TMOS Power FET está diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia de baja tensión y alta velocidad, como reguladores de conmutación, convertidores, solenoides y controladores de relé.
N-canal, mejora el modo de efecto de campo transistor de potencia utilizando tecnología de Trench, destinado a ser utilizado en off-line un interruptor de activación de alimentación, T.V. y monitores de ordenador fuentes de alimentación, DC a c.c. convertidores, circuitos de control de motores y propósito general de conmutación de aplicaciones.
CARACTERISTICAS:
Voltaje de fuente de drenaje VDS (VGS = 0) 200 V
Voltaje de desagüe VDGR (RGS = 20 kO) 200 V
Voltaje de la compuerta VGS ± 20 V
ID Drain Current (continuo) en Tc = 25 oC 18 18 (**) A
ID Drain Current (continuo) a Tc = 100 oC 11 11 (**) A
IDM (•) Corriente de drenaje (impulsada) 72 72 A
Ptot Disipación total en Tc = 25 o C 125 40 W
Factor de reducción 1.0 0.32 W / o C
dv / dt (1) Pendiente de tensión de recuperación de pico de diodo 5 5 V / ns
Tensión de soporte VISO Aislamiento (DC) 2000 V
Temperatura de almacenamiento Tstg -65 a 150 o C
Tj Max. Temperatura de unión operativa 150 oC
ESPECIFICACIONES TECNICAS:
Referencia de producto: IRF640
ENLACES DE INTERES
